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DiodesZetex DMT616 N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 206-0156
Référence fabricant:: DMT616MLSS-13
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex DMT616 N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

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N° de stock RS:: 206-0156
Référence fabricant:: DMT616MLSS-13
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	DMT616
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	21mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13.6nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.39W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5.9mm
	Height	1.4mm
	Width	4.85mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series DMT616
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.6nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.39W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5.9mm
	Height 1.4mm
	Width 4.85mm
	Automotive Standard No

Datasheet - DMT616MLSS-13

Pays d'origine :: CN

The DiodesZetex 60V,8 pin N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20V with 1.39 W thermal power dissipation.

Fast switching speed

Low input capacitance

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