DiodesZetex DMPH4029 Type P-Channel MOSFET, 8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMPH4029LFGQ-7
- N° de stock RS:
- 206-0137
- Référence fabricant:
- DMPH4029LFGQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 100 - 225 | 0,575 € | 14,38 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 206-0137
- Référence fabricant:
- DMPH4029LFGQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerDI3333 | |
| Series | DMPH4029 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 9.4mm | |
| Height | 2.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerDI3333 | ||
Series DMPH4029 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 9.4mm | ||
Height 2.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The DiodesZetex 40V,8 pin P channel enhancement mode MOSFET is designed to meet the stringent requirement of automotive application. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP, and is ideal for use in power management function and analogue switch. Its gate-source voltage is 20V with 1.3 W thermal power dissipation..
Low on-resistance
Fast switching speed
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