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DiodesZetex Dual DMG1023 1 Type P-Channel MOSFET, 1.03 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 DMG1023UVQ-7

N° de stock RS:: 206-0067
Référence fabricant:: DMG1023UVQ-7
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Dual DMG1023 1 Type P-Channel MOSFET, 1.03 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 DMG1023UVQ-7

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N° de stock RS:: 206-0067
Référence fabricant:: DMG1023UVQ-7
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.03A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	DMG1023
	Package Type	SOT-563
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	530W
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	622.4nC
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1.2mm
	Length	1.6mm
	Height	0.6mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.03A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series DMG1023
	Package Type SOT-563
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 530W
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 622.4nC
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 1.2mm
	Length 1.6mm
	Height 0.6mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - DMG1023UVQ-7

Pays d'origine :: CN

The DiodesZetex 20V complementary pair enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 6 V with 0.53W thermal power dissipation.

Low input capacitance

Fast switching speed

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