Références fabricant

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode, 19.5 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG160N120SC1

N° de stock RS:: 205-2494
Référence fabricant:: NTBG160N120SC1
Fabricant:: onsemi

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode, 19.5 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG160N120SC1

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N° de stock RS:: 205-2494
Référence fabricant:: NTBG160N120SC1
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	19.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	TO-263
	Series	NTB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	225mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd	136W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Forward Voltage Vf	3.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	9.7 mm
	Height	4.3mm
	Length	15.1mm
	Standards/Approvals	Pb-Free, RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 19.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type TO-263
	Series NTB
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 225mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd 136W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Forward Voltage Vf 3.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 9.7 mm
	Height 4.3mm
	Length 15.1mm
	Standards/Approvals Pb-Free, RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NTBG160N120SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L

The ON Semiconductor SiC N-channel 1200V MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Continuous Drain Current rating is 19.5A

Drain to source on resistance rating is 224mohm

Ultra Low Gate Charge

High Speed Switching and Low Capacitance

100% Avalanche Tested

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode, 19.5 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG160N120SC1

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L

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