STMicroelectronics STN6N60M2 Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 STN6N60M2

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204-9959
Référence fabricant:
STN6N60M2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

STN6N60M2

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.25Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.48 mm

Length

6.8mm

Height

1.8mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.

Extremely low gate charge

Excellent output capacitance (Coss) profile

100% avalanche tested

Zener-protected

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