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STMicroelectronics SuperMESH N-Channel MOSFET, 300 mA, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN1NK60Z

N° de stock RS:: 151-927
Référence fabricant:: STN1NK60Z
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SuperMESH N-Channel MOSFET, 300 mA, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN1NK60Z

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

1 184,00 €

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4000 +	0,296 €	1 184,00 €

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N° de stock RS:: 151-927
Référence fabricant:: STN1NK60Z
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	SOT-223
	Series	SuperMESH
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.7mm
	Height	1.8mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	3.7mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type SOT-223
	Series SuperMESH
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.7mm
	Height 1.8mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 3.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet - STN1NK60Z

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

SD improved capability

Zener protected

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