STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN1NK60Z

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N° de stock RS:
151-927
Référence fabricant:
STN1NK60Z
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SuperMESH

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

15Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.9nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.7 mm

Length

6.7mm

Height

1.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

SD improved capability

Zener protected

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