STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN1HNK60
- N° de stock RS:
- 687-5131
- Référence fabricant:
- STN1HNK60
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
8,22 €
(TVA exclue)
9,95 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 40 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 3 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 0,822 € | 8,22 € |
| 20 + | 0,781 € | 7,81 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 687-5131
- Référence fabricant:
- STN1HNK60
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.8mm | |
| Width | 3.5 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-43-897 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.8mm | ||
Width 3.5 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-43-897 | ||
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Liens connexes
- STMicroelectronics MDmesh 400 mA 3-Pin SOT-223 STN1HNK60
- STMicroelectronics MDmesh 250 mA 3-Pin SOT-223 STN1NK80Z
- STMicroelectronics MDmesh 400 mA 3-Pin TO-92 STQ1HNK60R-AP
- STMicroelectronics SuperMESH Silicon N-Channel MOSFET 600 V, 4-Pin SOT-223 STN1NK60Z
- STMicroelectronics MDmesh K3 600 mA 3-Pin SOT-223 STN3N45K3
- STMicroelectronics MDmesh 1 A 3-Pin DPAK STD1NK60T4
- STMicroelectronics MDmesh 4 A 3-Pin D2PAK STB4NK60ZT4
- STMicroelectronics MDmesh 10 A 3-Pin D2PAK STB10NK60ZT4
