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Vishay SiHP068N60EF Type N-Channel MOSFET, 41 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP068N60EF-GE3

N° de stock RS:: 204-7256
Référence fabricant:: SIHP068N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiHP068N60EF Type N-Channel MOSFET, 41 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP068N60EF-GE3

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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N° de stock RS:: 204-7256
Référence fabricant:: SIHP068N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	41A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220
	Series	SiHP068N60EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	68mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	27.69mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.24mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 41A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220
	Series SiHP068N60EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 68mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 27.69mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.24mm
	Automotive Standard No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Avalanche energy rated (UIS)

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

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