Vishay SiHP068N60EF Type N-Channel MOSFET, 41 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP068N60EF-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

28,98 €

(TVA exclue)

35,065 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 980 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 205,796 €28,98 €
25 - 455,218 €26,09 €
50 - 1204,636 €23,18 €
125 - 2454,232 €21,16 €
250 +3,652 €18,26 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
204-7256
Référence fabricant:
SIHP068N60EF-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

41A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

SiHP068N60EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

68mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

27.69mm

Standards/Approvals

No

Height

4.24mm

Width

9.96 mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Avalanche energy rated (UIS)

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Liens connexes