Vishay SiJ128LDP Type N-Channel MOSFET, 25.5 A, 80 V Enhancement, 4-Pin SO-8

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N° de stock RS:
204-7216
Référence fabricant:
SiJ128LDP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SiJ128LDP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

15.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Power Dissipation Pd

22.3W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1.14 mm

Length

5.25mm

Height

6.25mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency. It has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

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