Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET, 44.4 A, 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3

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279-9935
Référence fabricant:
SIJ4819DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

44.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8L

Series

SIJ

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0207Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

73.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.13mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Less voltage drop

Reduces conduction loss

Fully lead (Pb)-free device

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