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Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET, 44.4 A, 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 279-9935
Référence fabricant:: SIJ4819DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET, 44.4 A, 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 919,00 €

(TVA exclue)

3 531,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,973 €	2 919,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 279-9935
Référence fabricant:: SIJ4819DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	44.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	SO-8L
	Series	SIJ
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0207Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	73.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.13mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 44.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type SO-8L
	Series SIJ
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0207Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 73.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.13mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIJ4819DP-T1-GE3

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Less voltage drop

Reduces conduction loss

Fully lead (Pb)-free device

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