Vishay SQJQ144AE Type N-Channel MOSFET, 575 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ144AE-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 204-7198
- Référence fabricant:
- SQJQ144AE-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
20,40 €
(TVA exclue)
24,70 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 2,04 € | 20,40 € |
| 50 - 90 | 1,631 € | 16,31 € |
| 100 - 240 | 1,428 € | 14,28 € |
| 250 - 490 | 1,326 € | 13,26 € |
| 500 + | 1,102 € | 11,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 204-7198
- Référence fabricant:
- SQJQ144AE-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 575A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQJQ144AE | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 600W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 8mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Length | 8.2mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 575A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQJQ144AE | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 600W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 8mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Length 8.2mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has a thin 1.6 mm package.
Very low thermal resistance
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Liens connexes
- Vishay SQJQ144AE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 40 V Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ144AER-T1_GE3
- Vishay N-Channel 40 V Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ160ER-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ570ER-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ118E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ118ER-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ184EP-T1_GE3