STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Type N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

11,57 €

(TVA exclue)

14,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 80 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 411,57 €
5 - 911,28 €
10 +10,99 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
204-3959
Référence fabricant:
SCTWA35N65G2V
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

Hip-247

Series

SCTWA35N65G2V

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.072Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

No

Width

5.1 mm

Height

41.2mm

Length

15.9mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of both on-resistance and switching losses is almost independent of junction temperature.

Low capacitance

Very fast and robust intrinsic body diode

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Liens connexes