STMicroelectronics DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW50N65DM6

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Référence fabricant:
STW50N65DM6
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Series

DM6

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

91mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

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