onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 202-5744
- Référence fabricant:
- NVHL040N120SC1
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 450 + | 13,472 € | 6 062,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 202-5744
- Référence fabricant:
- NVHL040N120SC1
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NVH | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 174W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.87mm | |
| Height | 20.25mm | |
| Width | 4.82 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NVH | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 174W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.87mm | ||
Height 20.25mm | ||
Width 4.82 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−3L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, TO247-3L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.
AEC Q101 qualified
100% UIL Tested
Low effective output capacitance
RoHS compliant
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