onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Sous-total (1 tube de 450 unités)*

7 102,80 €

(TVA exclue)

8 594,55 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 450 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
450 +15,784 €7 102,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
202-5744
Référence fabricant:
NVHL040N120SC1
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

NVH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Maximum Power Dissipation Pd

174W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

20.25mm

Length

15.87mm

Standards/Approvals

No

Width

4.82 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−3L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, TO247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.

AEC Q101 qualified

100% UIL Tested

Low effective output capacitance

RoHS compliant

Liens connexes