onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 17.3 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

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N° de stock RS:
202-5741
Référence fabricant:
NVH4L160N120SC1
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

NVH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

160mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

111W

Forward Voltage Vf

4V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101 and PPAP Capable

Length

15.8mm

Height

22.74mm

Width

5.2 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 17.3 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.

AEC Q101 qualified

100% avalanche tested

Low effective output capacitance

RoHS compliant

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