onsemi Dual N NTTF 1 Type N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 12-Pin WQFN NTTFD9D0N06HLTWG
- N° de stock RS:
- 202-5721
- Référence fabricant:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- Fabricant:
- onsemi
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- Fabricant:
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | WQFN | |
| Series | NTTF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.79V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual N | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.75mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 38A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type WQFN | ||
Series NTTF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Forward Voltage Vf 0.79V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual N | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.75mm | ||
Length 3.3mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Symmetrical Dual N-Channel MOSFET includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. It is used in Computing, Communications, General purpose point of load applications.
Low inductance packaging
Lower switching losses
RoHS compliant
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