Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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200-6812
Référence fabricant:
SIHH186N60EF-T1GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

EF

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

193mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Height

8.1mm

Width

1.05 mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

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