Références fabricant

onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 25 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN

N° de stock RS:: 195-2560
Référence fabricant:: NVMFD6H852NLT1G
Fabricant:: onsemi

onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 25 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 195-2560
Référence fabricant:: NVMFD6H852NLT1G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	31.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	175°C
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Maximum Power Dissipation Pd	3.2W
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Height	1.05mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 31.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 175°C
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Maximum Power Dissipation Pd 3.2W
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Height 1.05mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVMFD6H852NLT1G

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

NVMFD6H852NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

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