onsemi NVTFS010N10MCL Type N-Channel MOSFET, 57.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- N° de stock RS:
- 195-2553
- Référence fabricant:
- NVTFS010N10MCLTAG
- Fabricant:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
873,00 €
(TVA exclue)
1 056,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Pénurie d'approvisionnement
- 4 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,582 € | 873,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 195-2553
- Référence fabricant:
- NVTFS010N10MCLTAG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | NVTFS010N10MCL | |
| Package Type | WDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 77.8W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 0.75mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 3.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series NVTFS010N10MCL | ||
Package Type WDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 77.8W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 0.75mm | ||
Length 3.3mm | ||
Width 3.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (3x3 mm)
Compact Design
Low On-Resistance
Minimizes Conduction Losses
Low Capacitance
Minimize Driver Losses
PPAP Capable
Suitable for Automotive Applications
Application
Reverser Battery protection
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
Switching power supplies
Liens connexes
- onsemi N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin WDFN NVTFS010N10MCLTAG
- onsemi N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin WDFN NTTFS012N10MDTAG
- onsemi N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H888NTAG
- onsemi N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin WDFN NVTFS4C02NWFTAG
- onsemi N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H854NTAG
- onsemi N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin WDFN NTTFS6H850NTAG
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin WDFN NVTFS015N04CTAG
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin WDFN NTTFS5C453NLTAG
