onsemi NTTFS6H850N Type N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NTTFS6H850NTAG

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178-4439
Référence fabricant:
NTTFS6H850NTAG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

68A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

WDFN

Series

NTTFS6H850N

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

107W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

0.75mm

Standards/Approvals

No

Width

3.15 mm

Length

3.15mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
Commercial Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Features

Low On-Resistance

Low Gate Charge

Small Footprint (3x3 mm)

Benefits

Minimizes Conduction Losses

Minimizes Switching Losses

Compact Design

Applications

Reverser Battery protection

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

Synchronous Rectification

End Products

Motor Control

Battery management

Switching Power supplies

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