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onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTP095N65S3HF

N° de stock RS:: 195-2516
Référence fabricant:: NTP095N65S3HF
Fabricant:: onsemi

onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTP095N65S3HF

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N° de stock RS:: 195-2516
Référence fabricant:: NTP095N65S3HF
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	95mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	66nC
	Maximum Power Dissipation Pd	272W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.7mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Height	9.4mm
	Automotive Standard	No

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	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 66nC
	Maximum Power Dissipation Pd 272W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.7mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Height 9.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet NTP095N65S3HF

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

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