onsemi NVMJS1D3N04C Type N-Channel MOSFET, 235 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NVMJS1D3N04CTWG

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Référence fabricant:
NVMJS1D3N04CTWG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

235A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

LFPAK

Series

NVMJS1D3N04C

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

128W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Height

1.2mm

Width

4.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Non conforme

Pays d'origine :
PH
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK8 Package, Industry Standard

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free

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