STMicroelectronics Single Mdmesh M6 1 N-Channel, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF18N60M6

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
192-5002
Référence fabricant:
STF18N60M6
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Transistor Configuration

Single

Series

Mdmesh M6

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current (Id)

13 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

600 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

TO-220FP

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

1.6 V

Height

16.4 mm

Length

10.4 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

280 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

25 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

25 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Through Hole, Through Hole

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

16.8 nC

Width

4.6 mm

Pays d'origine :
CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

Zener-protected

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