STMicroelectronics Single MDmesh 1 N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N

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N° de stock RS:
103-1999
Référence fabricant:
STF13NM60N
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Transistor Configuration

Single

Series

MDmesh

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

11 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

600 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

TO-220FP

Height

16.4 mm

Length

10.4 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

360 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

25 V, -25 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

25 W

Mount Type

Through Hole

Width

4.6 mm

N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package


These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

All features


  • 100% avalanche tested

  • Low input capacitance and gate charge

  • Low gate input resistance

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