onsemi NTMJS1D0N04C N-Channel MOSFET, 300 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NTMJS1D0N04CTWG
- N° de stock RS:
- 189-0506
- Référence fabricant:
- NTMJS1D0N04CTWG
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
13,19 €
(TVA exclue)
15,96 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 novembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,638 € | 13,19 € |
| 50 - 95 | 2,272 € | 11,36 € |
| 100 + | 1,972 € | 9,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 189-0506
- Référence fabricant:
- NTMJS1D0N04CTWG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 300A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NTMJS1D0N04C | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 920μΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 86nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.9mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 300A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NTMJS1D0N04C | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 920μΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.9mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK-E Package, Industry Standard
These Devices are Pb-Free
Liens connexes
- onsemi NTMJS1D0N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS1D2N04CL N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS5D3N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMJS0D9N04CL N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMJS1D5N04CL N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS8D0N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS011N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS010N04CL N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK