STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP6N95K5

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Référence fabricant:
STP6N95K5
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.25Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.4mm

Width

4.6 mm

Height

15.75mm

Automotive Standard

No

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications Product status link requiring superior power density and high efficiency.

Ultra low gate charge

Zener-protected

Applications

Switching applications

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