STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD6N95K5

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151-926
Référence fabricant:
STD6N95K5
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Package Type

TO-252

Series

MDmesh K5

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.25Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.6 mm

Length

10.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Industry’s lowest RDS(on) x area

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Ultra low gate charge

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