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Vishay SiRA99DP Type P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA99DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 188-5097
Référence fabricant:: SIRA99DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiRA99DP Type P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA99DP-T1-GE3

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N° de stock RS:: 188-5097
Référence fabricant:: SIRA99DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	195A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	SiRA99DP
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	172.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.99mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.07mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 195A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series SiRA99DP
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 172.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.99mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.07mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIRA99DP-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

Very low RDS(on) minimizes voltage drop and reduces conduction loss

Eliminates the need for charge pump

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