Vishay SiRA99DP Type P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
188-4884
Référence fabricant:
SIRA99DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

195A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

SiRA99DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

172.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.99mm

Standards/Approvals

No

Width

5 mm

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

Very low RDS(on) minimizes voltage drop and reduces conduction loss

Eliminates the need for charge pump

Liens connexes