Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- N° de stock RS:
- 188-4872
- Référence fabricant:
- SIHB22N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
78,25 €
(TVA exclue)
94,70 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,565 € | 78,25 € |
| 100 - 200 | 1,346 € | 67,30 € |
| 250 + | 1,266 € | 63,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 188-4872
- Référence fabricant:
- SIHB22N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SiHB22N60EF | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 182mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 9.65 mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SiHB22N60EF | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 182mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 9.65 mm | ||
Length 10.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
APPLICATIONS
Server and telecom power supplies
Switch mode power supplies (SMPS)
Power factor correction power supplies (PFC)
Liens connexes
- Vishay N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB22N60EF-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 600 V D2PAK SIHB15N60E-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHFBC30AS-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SiHB186N60EF-GE3
- Vishay SiHB105N60EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB105N60EF-GE3
- Vishay SiHB125N60EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB125N60EF-GE3
- Vishay SiHB068N60EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB068N60EF-GE3
- Vishay Silicon N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB150N60E-GE3
