onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN FCMT125N65S3

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185-9219
Référence fabricant:
FCMT125N65S3
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PQFN

Series

FCMT

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

181W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Height

1.05mm

Width

8 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Non conforme

Pays d'origine :
PH
700 V @ TJ = 150 oC

Leadless Ultra-thin SMD package

Kelvin contact

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 49 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 406 pF)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 100 mΩ

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Higher system reliability at low temperature operation

High power density

Low gate noise and switching loss

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

LED Lighting

Adapter

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