onsemi NVMJS1D3N04C Type N-Channel MOSFET, 235 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK

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N° de stock RS:
185-8157
Référence fabricant:
NVMJS1D3N04CTWG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

235A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

NVMJS1D3N04C

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

128W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.9 mm

Height

1.2mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Non conforme

Pays d'origine :
PH
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK8 Package, Industry Standard

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free

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