ROHM RUF025N02 Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 RUF025N02TL
- N° de stock RS:
- 183-5622
- Référence fabricant:
- RUF025N02TL
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 30 unités)*
9,81 €
(TVA exclue)
11,88 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 21 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 0,327 € | 9,81 € |
| 150 - 570 | 0,202 € | 6,06 € |
| 600 - 1470 | 0,197 € | 5,91 € |
| 1500 + | 0,192 € | 5,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 183-5622
- Référence fabricant:
- RUF025N02TL
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Series | RUF025N02 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 800mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.1mm | |
| Width | 1.8 mm | |
| Height | 0.82mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-323 | ||
Series RUF025N02 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 800mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.1mm | ||
Width 1.8 mm | ||
Height 0.82mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- JP
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low voltage(1.5V) drive type
Nch Small-signal MOSFET
Small Surface Mount Package
Pb Free
Liens connexes
- ROHM RUF025N02 N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 RUF025N02TL
- ROHM N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin TUMT RUF025N02TL
- ROHM RU1C001UN N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 RU1C001UNTCL
- ROHM RU1C002ZP P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 RU1C002ZPTCL
- ROHM BSS N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-323 BSS138WAHZGT106
- ROHM RUC002N05 N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-323 RUC002N05T116
- ROHM RU1J002YN N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-323 RU1J002YNTCL
- ROHM RSF015N06 N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-323 RSF015N06TL
