ROHM RU1C002ZP Type P-Channel MOSFET, 200 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 RU1C002ZPTCL

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Référence fabricant:
RU1C002ZPTCL
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

200mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

RU1C002ZP

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±10 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

1.35 mm

Length

2.1mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


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