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ROHM RU1C002ZP Type P-Channel MOSFET, 200 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 RU1C002ZPTCL

N° de stock RS:: 124-6835
Référence fabricant:: RU1C002ZPTCL
Fabricant:: ROHM

ROHM RU1C002ZP Type P-Channel MOSFET, 200 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 RU1C002ZPTCL

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2500 - 4900	0,061 €	6,10 €
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N° de stock RS:: 124-6835
Référence fabricant:: RU1C002ZPTCL
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	200mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-323
	Series	RU1C002ZP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd	150mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	2.1mm
	Height	1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 200mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-323
	Series RU1C002ZP
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd 150mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 2.1mm
	Height 1mm
	Automotive Standard No

P-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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