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ROHM Single RUF025N02 1 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 RUF025N02TL

N° de stock RS:: 183-5146
Référence fabricant:: RUF025N02TL
Fabricant:: ROHM

ROHM Single RUF025N02 1 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 RUF025N02TL

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 183-5146
Référence fabricant:: RUF025N02TL
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Transistor Configuration	Single
	Series	RUF025N02
	Number of Elements per Chip	1
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	2.5 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	20 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	SOT-323
	Forward Voltage (Vf)	1.2 V
	Height	820 μm
	Length	2.1 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	160 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	10 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	800 mW
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Width	1.8 mm

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	Marque ROHM
	Transistor Configuration Single
	Series RUF025N02
	Number of Elements per Chip 1
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 2.5 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 20 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type SOT-323
	Forward Voltage (Vf) 1.2 V
	Height 820 μm
	Length 2.1 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 160 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 10 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 800 mW
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Width 1.8 mm

Datasheet RUF025N02TL

Pays d'origine :: JP

Power MOSFETs are MADE as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering Compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

Low voltage(1.5V) drive type

Nch Small-signal MOSFET

Small Surface Mount Package

Pb Free

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