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Vishay Single 1 N-Channel Power MOSFET, 6.2 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB IRFBC40APBF

N° de stock RS:: 180-8656
Référence fabricant:: IRFBC40APBF
Fabricant:: Vishay

Vishay Single 1 N-Channel Power MOSFET, 6.2 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB IRFBC40APBF

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50 - 120	1,90 €	9,50 €
125 - 245	1,792 €	8,96 €
250 - 495	1,69 €	8,45 €
500 +	1,582 €	7,91 €

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N° de stock RS:: 180-8656
Référence fabricant:: IRFBC40APBF
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220AB
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	14.4mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	10.52mm
	Height	6.71mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220AB
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 14.4mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 10.52mm
	Height 6.71mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

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Pays d'origine :: CN

Vishay MOSFET

The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-220-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 600V and maximum gate-source voltage of 30V. It has a drain-source resistance of 1.20mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 125W. The product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Effective coss specified

• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current

• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt

• Lead (Pb) free component

• Low gate charge Qg results in simple drive requirement

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

Applications

• High speed power switching

• Switch mode power supply (SMPS)

• Uninterruptible power supplies

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