Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 16 A, 500 V TO-220AB IRFB17N50LPBF
- N° de stock RS:
- 180-8623
- Référence fabricant:
- IRFB17N50LPBF
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 180-8623
- Référence fabricant:
- IRFB17N50LPBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Mount Type | Screw | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.32Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 220W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Mount Type Screw | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.32Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 220W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay IRFB17N50L is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 500V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having TO-220AB package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.28ohms at 10VGS. Maximum drain current 16A.
Low gate charge Qg results in simple drive Requirement
Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Low trr and soft diode recovery
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