Références fabricant

Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, 11 A, 60 V TO-263 IRF9Z24SPBF

N° de stock RS:: 180-8310
Référence fabricant:: IRF9Z24SPBF
Fabricant:: Vishay

Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, 11 A, 60 V TO-263 IRF9Z24SPBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

49,65 €

(TVA exclue)

60,10 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Dernier stock RS

50 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	0,993 €	49,65 €
100 - 200	0,943 €	47,15 €
250 +	0,894 €	44,70 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 180-8310
Référence fabricant:: IRF9Z24SPBF
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.28Ω
	Maximum Power Dissipation Pd	60W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Single
	Length	2.79mm
	Width	10.67 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.28Ω
	Maximum Power Dissipation Pd 60W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Single
	Length 2.79mm
	Width 10.67 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

Pays d'origine :: CN

The Vishay IRF9Z24S is a P-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -60V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having D2PAK (TO-263) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.28ohms at 10VGS. Maximum drain current -11A.

Advanced process technology

Surface mount

175 °C operating temperature

Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, 11 A, 60 V TO-263 IRF9Z24SPBF

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes