Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 2.5 A, 500 V IRF820ASPBF

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N° de stock RS:
180-8306
Référence fabricant:
IRF820ASPBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.79mm

Width

10.67 mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay IRF820AS is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 500V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having D2PAK (TO-263)and I2PAK (TO-262) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 3ohms at 10VGS. Maximum drain current 17A.

Low gate charge Qg results in simple drive requirement

Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness

Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current

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