Références fabricant

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

N° de stock RS:: 178-4256
Référence fabricant:: NTHL110N65S3F
Fabricant:: onsemi

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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Unité	Prix par unité	le tube*
30 - 90	4,215 €	126,45 €
120 - 240	3,688 €	110,64 €
270 - 480	3,591 €	107,73 €
510 - 990	3,502 €	105,06 €
1020 +	3,414 €	102,42 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 178-4256
Référence fabricant:: NTHL110N65S3F
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	NTHL
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Maximum Power Dissipation Pd	240W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	20.82mm
	Width	4.82 mm
	Length	15.87mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series NTHL
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Maximum Power Dissipation Pd 240W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 20.82mm
	Width 4.82 mm
	Length 15.87mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features:

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products:

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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