Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

804,00 €

(TVA exclue)

972,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 6 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,268 €804,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
279-9899
Référence fabricant:
SIA112LDJ-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SIA

Package Type

SC-70-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.119Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

2.05mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Liens connexes