Vishay IRF9630 Type P-Channel MOSFET, 6.5 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9630PBF
- N° de stock RS:
- 178-0827
- Référence fabricant:
- IRF9630PBF
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
66,00 €
(TVA exclue)
80,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 1 250 unité(s) expédiée(s) à partir du 31 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,32 € | 66,00 € |
| 100 - 200 | 1,122 € | 56,10 € |
| 250 + | 1,056 € | 52,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 178-0827
- Référence fabricant:
- IRF9630PBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | IRF9630 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 800mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -6.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.01mm | |
| Width | 4.7mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series IRF9630 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -6.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.01mm | ||
Width 4.7mm | ||
Length 10.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.
Dynamic dV/dt rating
Ease of paralleling
Simple drive requirements
Liens connexes
- Vishay IRF9630 Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF9630S Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF9630S Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9630SPBF
- Vishay IRF9640 Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFI Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220