onsemi NTTFS4C02N Type N-Channel MOSFET, 29 A, 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*

658,50 €

(TVA exclue)

796,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1500 +0,439 €658,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
171-8365
Référence fabricant:
NTTFS4C02NTAG
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

WDFN

Series

NTTFS4C02N

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

4.2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.75mm

Standards/Approvals

No

Width

3.15 mm

Length

3.15mm

Automotive Standard

No

Power MOSFET 30V 170A 2.25 mOhm Single N−Channel μ8FL

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low Capacitance to Minimize Driver Losses

Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free

Applications

DCDC Converters

Power Load Switch

Notebook Battery Management

Liens connexes