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Vishay Si1302DL N-Channel MOSFET, 600 mA, 30 V Enhancement, 3-Pin SC-70 SI1302DL-T1-E3

N° de stock RS:: 169-6089
Référence fabricant:: SI1302DL-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si1302DL N-Channel MOSFET, 600 mA, 30 V Enhancement, 3-Pin SC-70 SI1302DL-T1-E3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 169-6089
Référence fabricant:: SI1302DL-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	600mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SC-70
	Series	Si1302DL
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	480mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.86nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	280mW
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.35mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1mm
	Length	2.2mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 600mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SC-70
	Series Si1302DL
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 480mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.86nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 280mW
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.35mm
	Standards/Approvals No
	Height 1mm
	Length 2.2mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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