Vishay SUD50P04-08 Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 169-5793
- Référence fabricant:
- SUD50P04-08-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
1 196,00 €
(TVA exclue)
1 448,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,598 € | 1 196,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 169-5793
- Référence fabricant:
- SUD50P04-08-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SUD50P04-08 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 73.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SUD50P04-08 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 73.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.38mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- TW
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK SUD50P04-08-GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK SUD50P06-15-GE3
- Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK IPD50P04P413ATMA1
- Vishay P-Channel MOSFET 50 V DPAK IRFR9010TRPBF
- Infineon P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK IPD50P04P413ATMA2
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK DMPH4023SK3-13
- Vishay P-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin DPAK IRFR9020TRPBF
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK SQD50P06-15L_GE3
