IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227

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N° de stock RS:
146-1694
Référence fabricant:
IXFN24N100
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Series

HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

568W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

267nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Width

25.42 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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