IXYS Linear L2 Type N-Channel MOSFET, 178 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

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N° de stock RS:
168-4584
Référence fabricant:
IXTN200N10L2
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

178A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-227

Series

Linear L2

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.4V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

540nC

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series


N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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