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onsemi PowerTrench, SyncFET Dual N-Channel MOSFET, 6.9 A, 8.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS6900AS

N° de stock RS:: 166-2446
Référence fabricant:: FDS6900AS
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench, SyncFET Dual N-Channel MOSFET, 6.9 A, 8.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS6900AS

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

737,50 €

(TVA exclue)

892,50 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,295 €	737,50 €

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N° de stock RS:: 166-2446
Référence fabricant:: FDS6900AS
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	6.9 A, 8.2 A
	Maximum Drain Source Voltage	30 V
	Series	PowerTrench, SyncFET
	Package Type	SOIC
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance	22 mΩ, 27 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Gate Threshold Voltage	1V
	Maximum Power Dissipation	2 W
	Transistor Configuration	Series
	Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
	Transistor Material	Si
	Length	5mm
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Number of Elements per Chip	2
	Width	3.99mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V, 11 nC @ 10 V
	Height	1.5mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 6.9 A, 8.2 A
	Maximum Drain Source Voltage 30 V
	Series PowerTrench, SyncFET
	Package Type SOIC
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance 22 mΩ, 27 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Gate Threshold Voltage 1V
	Maximum Power Dissipation 2 W
	Transistor Configuration Series
	Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
	Transistor Material Si
	Length 5mm
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Number of Elements per Chip 2
	Width 3.99mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 10 V, 11 nC @ 10 V
	Height 1.5mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C

Pays d'origine :: MY

onsemi PowerTrench, SyncFET Dual N-Channel MOSFET, 6.9 A, 8.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS6900AS

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