Références fabricant

Vishay Si7456DDP Type N-Channel MOSFET, 27.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7456DDP-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-7065
Référence fabricant:: SI7456DDP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 165-7065
Référence fabricant:: SI7456DDP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	27.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	Si7456DDP
	Package Type	PowerPAK SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.031Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	35.7W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.7nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.26mm
	Standards/Approvals	Lead (Pb)-Free
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 27.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series Si7456DDP
	Package Type PowerPAK SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.031Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 35.7W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.7nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.26mm
	Standards/Approvals Lead (Pb)-Free
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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