STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 165-6582
- Référence fabricant:
- STD80N4F6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 920,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,768 € | 1 920,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 165-6582
- Référence fabricant:
- STD80N4F6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | DeepGate, STripFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series DeepGate, STripFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.